パワーエレクトロニクス基礎から応用

ページ数

２２０ｐ

ISBN

978-4-8446-0943-8

著者情報

高木 浩一（タカキ コウイチ）
岩手大学理工学部電気電子通信コース教授

南谷 靖史（ミナミタニ ヤスシ）
山形大学大学院理工学研究科准教授

商品説明

理工学分野に携わる大学や工業高等専門学校の学生、高電圧に携わる技術者がパワーエレクトロニクスの基礎知識を得るための入門書。大学や高専の講義と対応するように12章立てとした。１回の講義が章１つに対応する。独学では２時間で章１つを学ぶイメージである。 パワーエレクトロニクスの諸動作の記載は、関連する基礎科目の諸法則との関係にも触れて、専門基礎から発展的に学習ができるようにした。またパワーエレクトロニクスを利用した回路の動作について、これらの動作を説明するモデルが理解できるように、数式と説明文の双方で記述した。パワーエレクトロニクスを利用した産業機器を学ぶ章では、実物を見たことがない人でもその用途と原理およびそれらの発展の歴史を容易に理解できるよう、イラスト、写真、年表などを掲載している。理解度の確認やアクティブラーニングが可能なように、例題や演習、発展的学習も入れた。演習問題解説においては、答えの導出過程も記述している。

目次

１章 パワーエレクトロニクスの概要 1.1 暮らしの中のパワーエレクトロニクス 1.2 パワーエレクトロニクスの目的：電力変換 1.3 パワーエレクトロニクスの歴史２章 パワーエレクトロニクスの電気回路理論 2.1 スイッチングによる制御 2.2 平均値と実効値 2.3 ひずみ波形のフーリエ級数による表示 2.4 電力 2.5 力率とひずみ率３章 電力変換の基礎とスイッチ 3.1 電力変換と効率 3.2 スイッチングによる電力変換 3.3 電力制御 3.4 スイッチングによる電流経路の切り替え 3.5 理想スイッチと実際のスイッチ４章 電力変換と半導体デバイス 4.1 半導体とは 4.2 パワーデバイスに必要な特性 4.3 ダイオード 4.4 バイポーラトランジスタ 4.5 電界効果トランジスタ 4.6 次世代パワーデバイス5章 パワーエレクトロニクス用半導体デバイス 5.1 IGBT（insulated gate bipolar transistor） 5.2 サイリスタ（thyristor） 5.3 TRIAC (triode for alternating current) 5.4 GTO（gate turn-off thyristor） 5.5 パワーモジュール 5.6 半制御スイッチと完全制御スイッチ6章 チョッパ回路 6.1 直流－直流変換の仕組みと平滑化 6.2 降圧チョッパ 6.3 昇圧チョッパ 6.4 昇降圧チョッパ 6.5 デューティ比と入出力電圧特性の比較７章 高度な直流―直流変換 7.1 双方向チョッパ回路 7.2 フライバックコンバータ 7.3 フォワードコンバータ 7.4 高度な昇降圧チョッパ８章 インバータ 8.1 単相インバータ 8.2 三相インバータ９章 波形制御によるインバータの高調波出力改善 9.1 イン ほか

商品詳細

出版社名

理工図書

サイズ

２１ｃｍ

対象年齢

一般

フォーマット

単行本

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